همدستی صنایع نصف هادی تایوان (TSMC) توانسته درون مرزوبوم ی جستجو و توسعه به دستاوردی برنگ خون برسد. درحالی که تراش های رده بالای امروزی بوسیله طور مهم پیاده شدن لیتوگرافی (نود پردازشی) هفت نانومتری متکی هستند، TSMC فرایند تحقیق و توسعه ی موکد بخاطر لیتوگرافی دو نانومتری را آغاز کرده و به نتایج مثبت متعددی حزن دست پیدا کرده است. گزارش های مربوط به دستاورد متاخر TSMC اولیه بار در رسانه های تایوانی منتشر شدند و سپس شاهد پوشش آن ها توسط رسانه های معتر جهانی بودیم.
TSMC امروزه به نشانی تأمین کننده ی خراش برای بسیاری از شرکت های کوچک و بزرگ داخل بکلی دنیا شناخته می شود و مشتریان مهمی دارد. آن طور که گزارش های اخیر می گویند، TSMC نیت دارد در اواسط سال ۲۰۲۳، فرایند تولید آزمایشی لیتوگرافی دو نانومتری را مفتاح بزند؛ یک سال سپس (۲۰۲۴)، گواه آغاز تولید انبوه این لیتوگرافی خواهیم بود.
درحال حاضر جدیدترین لیتوگرافی TSMC، دوده اول لیتوگرافی پنج نانومتری است که قطعا در تراش های متعددی از آن استفاده خواهد شد؛ A14 Bionic، مقدماتی تراشه ی پنج نانومتری جهان که درآیپد ایر ۲۰۲۰ و گوشی های قوم ی آیفون ۱۲ از آن مصرف می شود، برپایه ی لیتوگرافی پنج نانومتری TSMC ساخته شده. در اصطلاح عامیانه، زبان ی نود تو عبارت نود پردازشی، به ابعاد واحدهایی از ترانزیستور با اشتهار فین (Fin) اشاره می یواش. پردازنده ای مدرن دربرگیرنده میلیاردها فین است. این تعداد زیاد فین ها درکنار یکدیگر باعث شده اند امکان انجام پردازش های بیش پیچیده حاضر شود. همچنین فین های یادشده قیمت تمام شده را کاهش می دهند و باعث بهبود غلبه پردازشی تراشه می شوند.
بخاطر اشاره به ترانزیستورهایی که در تراشه های مخلوق شده توسط TSMC و بازوی تراش ساز سامسونگ با نام Samsung Foundry مورداستفاده صبر می گیرند از عبارت فین فت (FinFET مخفف Fin Field Effect Transistor) استفاده می شود. بااین حال، لیتوگرافی دو نانومتری TSMC راحتی است دارای طراحی متفاوتی بخاطر ترانزیستور باشد و عبارت فین فت را پیاده شدن بگذارد. از مدل سازی جدید ترانزیستورهای موردبحث با عبارت MBCFET (مخفف Multi-Bridge Channel Field Effect) یاد می شود. MBCFET برپایه ی مدل سازی های پیشین فین فت مخلوق شده و بهبودهایی جلوه گر بوسیله خود دیده است.
نقشه کشی فین تدبیر متشکل از سه گانه المان کلیدی است که شامل «نسب»، «دروازه» و «ناودان» می شوند؛ الکترون ها از منبع به سمت ناو به روانی درمی آیند و شهریه ی دروازه، انتظام کردن روند صاعقه است. در نقشه کشی های قبل از فین فت، منبع و ناودان تنها در محور افقی تولید می شدند و بوسیله بیانی بهتر، این دو المان هم راستا با تراشه قرار می گرفتند. TSMC در روش فین فت، استراتژی خود را تغییر قسط. منبع و ناودان در فین فت به بعد سومین مجهز شدند و این یعنی به حالت عمودی هم درآمدند. نتیجه ی راهکار فین فت این بود که الکترون های بیشتری می توانستند از پشه عبور کنند؛ به علاوه میزان نشست الکترون ها کاهش یافت و ولتاژی موثر غم کاهش پیدا کرد.
این نخستین باری محو که یک باهم اتحاد کردن تراشه ساز سراغ استفاده از روش MBCFET برای تولید ترانزیستور تراشه ها می رود. در آوریل سال گذشته ی میلادی (فروردین و اردیبهشت ۱۳۹۸) بود که سامسونگ تو بیانیه ای اعلام کرد عزیمت دارد برای تراش های سه نانومتری از گونه تولید MBCFET استفاده درنگ. راهکار MBCFET سامسونگ درواقع نسخه ی تکامل یافته ی راهکار GAAFET حیات که این شرکت در سال ۲۰۱۷ در همکاری مشترک با IBM طراحی کرده بود.
راهکار MBCFET سامسونگ برخلاف GAAFET برای منبع و ناودان از نانوصفحه (NanoSheet) استفاده می کند، این درحالی است که GAAFET از نانوسیم (NanoWire) استعمال می کرد. مصرف از نانوصفحه باعث تکثیر سطح رسانای ترانزیستور می شود و مهم تر از آن، تولیدکننده ی تراشه را قادر می سازد بدون تکثیر سطح جانبی، از دروازه های بیشتری در ترانزیستور کاربرد کند.
اطلاع دادن جدیدی به تازگی در بین رسانه ها دست بوسیله دست می شوند که هنوز بوسیله تأیید رسمی TSMC نرسیده اند؛ این اطلاع دادن تقاضا می کنند TSMC انتظار دارد مقدار بازده لیتوگرافی دو نانومتری اش به مغز سرسام آور ۹۰ درصد در سال ۲۰۲۳ برسد. اگر این اتفاق رنگ حقیقت به خویشتن بگیرد و مشکل دیگری پیش نیاید، TSMC خواهد توانست مطابق برنامه های تعیین شده، در سال ۲۰۲۴ فرایند تولید متراکم را آغاز نرم.
سامسونگ بوسیله طی شناساندن ترانزیستورهای MBCFET اعلام کرد انتظار دارد لیتوگرافی سه نانومتری بتواند مقیاس استفاده انرژی تراش را نسبت به تراشه های هفت نانومتری بین ۳۰ تا ۴۵ درصد کاهش دهد. سامسونگ همچنین از افزودن قدرت تراشه ی سه نانومتری بوسیله میزان ۳۰ درصد نسبت به تراش ی هفت نانومتری خبر داد. بیشتر بخوانید:پردازنده AZ1 Neural Edge آمازون با همکاری مدیاتک معرفی شدکرش وسیع کارت گرافیک RTX 3080 هنگام اجرای بازی؛ موضوع چیست؟سرویس ورزش ابری آمازون از پردازنده های گرافیکی انویدیا T4 استفاده می کندنسل دوم واحد پردازش سریع العمل AMD از حافظه DDR5 و گرافیک Navi 2 پشتیبانی می کندنوویا بخاطر تولید تراشه های خداوندگار آرم، ۲۴۰ میلیون دلار سرمایه جذب کرد
TSMC امروزه به نشانی تأمین کننده ی خراش برای بسیاری از شرکت های کوچک و بزرگ داخل بکلی دنیا شناخته می شود و مشتریان مهمی دارد. آن طور که گزارش های اخیر می گویند، TSMC نیت دارد در اواسط سال ۲۰۲۳، فرایند تولید آزمایشی لیتوگرافی دو نانومتری را مفتاح بزند؛ یک سال سپس (۲۰۲۴)، گواه آغاز تولید انبوه این لیتوگرافی خواهیم بود.
درحال حاضر جدیدترین لیتوگرافی TSMC، دوده اول لیتوگرافی پنج نانومتری است که قطعا در تراش های متعددی از آن استفاده خواهد شد؛ A14 Bionic، مقدماتی تراشه ی پنج نانومتری جهان که درآیپد ایر ۲۰۲۰ و گوشی های قوم ی آیفون ۱۲ از آن مصرف می شود، برپایه ی لیتوگرافی پنج نانومتری TSMC ساخته شده. در اصطلاح عامیانه، زبان ی نود تو عبارت نود پردازشی، به ابعاد واحدهایی از ترانزیستور با اشتهار فین (Fin) اشاره می یواش. پردازنده ای مدرن دربرگیرنده میلیاردها فین است. این تعداد زیاد فین ها درکنار یکدیگر باعث شده اند امکان انجام پردازش های بیش پیچیده حاضر شود. همچنین فین های یادشده قیمت تمام شده را کاهش می دهند و باعث بهبود غلبه پردازشی تراشه می شوند.
بخاطر اشاره به ترانزیستورهایی که در تراشه های مخلوق شده توسط TSMC و بازوی تراش ساز سامسونگ با نام Samsung Foundry مورداستفاده صبر می گیرند از عبارت فین فت (FinFET مخفف Fin Field Effect Transistor) استفاده می شود. بااین حال، لیتوگرافی دو نانومتری TSMC راحتی است دارای طراحی متفاوتی بخاطر ترانزیستور باشد و عبارت فین فت را پیاده شدن بگذارد. از مدل سازی جدید ترانزیستورهای موردبحث با عبارت MBCFET (مخفف Multi-Bridge Channel Field Effect) یاد می شود. MBCFET برپایه ی مدل سازی های پیشین فین فت مخلوق شده و بهبودهایی جلوه گر بوسیله خود دیده است.
نقشه کشی فین تدبیر متشکل از سه گانه المان کلیدی است که شامل «نسب»، «دروازه» و «ناودان» می شوند؛ الکترون ها از منبع به سمت ناو به روانی درمی آیند و شهریه ی دروازه، انتظام کردن روند صاعقه است. در نقشه کشی های قبل از فین فت، منبع و ناودان تنها در محور افقی تولید می شدند و بوسیله بیانی بهتر، این دو المان هم راستا با تراشه قرار می گرفتند. TSMC در روش فین فت، استراتژی خود را تغییر قسط. منبع و ناودان در فین فت به بعد سومین مجهز شدند و این یعنی به حالت عمودی هم درآمدند. نتیجه ی راهکار فین فت این بود که الکترون های بیشتری می توانستند از پشه عبور کنند؛ به علاوه میزان نشست الکترون ها کاهش یافت و ولتاژی موثر غم کاهش پیدا کرد.
این نخستین باری محو که یک باهم اتحاد کردن تراشه ساز سراغ استفاده از روش MBCFET برای تولید ترانزیستور تراشه ها می رود. در آوریل سال گذشته ی میلادی (فروردین و اردیبهشت ۱۳۹۸) بود که سامسونگ تو بیانیه ای اعلام کرد عزیمت دارد برای تراش های سه نانومتری از گونه تولید MBCFET استفاده درنگ. راهکار MBCFET سامسونگ درواقع نسخه ی تکامل یافته ی راهکار GAAFET حیات که این شرکت در سال ۲۰۱۷ در همکاری مشترک با IBM طراحی کرده بود.
راهکار MBCFET سامسونگ برخلاف GAAFET برای منبع و ناودان از نانوصفحه (NanoSheet) استفاده می کند، این درحالی است که GAAFET از نانوسیم (NanoWire) استعمال می کرد. مصرف از نانوصفحه باعث تکثیر سطح رسانای ترانزیستور می شود و مهم تر از آن، تولیدکننده ی تراشه را قادر می سازد بدون تکثیر سطح جانبی، از دروازه های بیشتری در ترانزیستور کاربرد کند.
اطلاع دادن جدیدی به تازگی در بین رسانه ها دست بوسیله دست می شوند که هنوز بوسیله تأیید رسمی TSMC نرسیده اند؛ این اطلاع دادن تقاضا می کنند TSMC انتظار دارد مقدار بازده لیتوگرافی دو نانومتری اش به مغز سرسام آور ۹۰ درصد در سال ۲۰۲۳ برسد. اگر این اتفاق رنگ حقیقت به خویشتن بگیرد و مشکل دیگری پیش نیاید، TSMC خواهد توانست مطابق برنامه های تعیین شده، در سال ۲۰۲۴ فرایند تولید متراکم را آغاز نرم.
سامسونگ بوسیله طی شناساندن ترانزیستورهای MBCFET اعلام کرد انتظار دارد لیتوگرافی سه نانومتری بتواند مقیاس استفاده انرژی تراش را نسبت به تراشه های هفت نانومتری بین ۳۰ تا ۴۵ درصد کاهش دهد. سامسونگ همچنین از افزودن قدرت تراشه ی سه نانومتری بوسیله میزان ۳۰ درصد نسبت به تراش ی هفت نانومتری خبر داد. بیشتر بخوانید:پردازنده AZ1 Neural Edge آمازون با همکاری مدیاتک معرفی شدکرش وسیع کارت گرافیک RTX 3080 هنگام اجرای بازی؛ موضوع چیست؟سرویس ورزش ابری آمازون از پردازنده های گرافیکی انویدیا T4 استفاده می کندنسل دوم واحد پردازش سریع العمل AMD از حافظه DDR5 و گرافیک Navi 2 پشتیبانی می کندنوویا بخاطر تولید تراشه های خداوندگار آرم، ۲۴۰ میلیون دلار سرمایه جذب کرد
- ۹۹/۰۷/۰۷